Интерферометр лазерный  с функцией картографирования для образцов до 300мм (изм. толщина 1нм – 100мкм)  - AF-T001
<
>

Интерферометр лазерный с функцией картографирования для образцов до 300мм (изм. толщина 1нм – 100мкм) - AF-T001

Производитель:
Страна: Китай
Артикул: AF-T001
  • Стоимость
  • По запросу

  • Под заказ

Лазерный интерферометр AF-T001 для измерения тонких плёнок от 1 нм до 100 мкм — это прибор, который использует лазерное излучение для точного измерения толщины тонких слоёв и покрытий.

Принцип работы: лазерный луч отражается от поверхности плёнки и возвращается обратно в прибор. Измеряется разность фаз между исходным и отражённым лучами. Эта разность фаз пропорциональна толщине плёнки.

Основные компоненты лазерного интерферометра:

Источник лазерного излучения: обычно используется лазер с длиной волны 250-1050нм.  

Оптическая система: включает в себя зеркала, линзы и другие оптические элементы для направления и фокусировки лазерного луча на поверхность плёнки.

Детектор: регистрирует отражённый сигнал и измеряет разность фаз.

Электронная система обработки данных: преобразует измеренную разность фаз в значение толщины плёнки.

Прецизионный позиционер: предназначен для перемещения подложки для создания карты распределения толщин.

Преимущества лазерного интерферометра включают высокую точность измерений, возможность работать с тонкими плёнками различной природы и широкий диапазон измерений. Однако для работы с прибором требуется квалифицированный персонал и определённые навыки.

Особенности:

  • Измерение тонких слоев в диапазоне от 1нм до 100мкм.
  • Возможность измерения многослойных покрытий – до 10 слоев.
  • Ультра высокое разрешение – 0.1нм, воспроизводимость 0.1нм.
  • Возможность измерения прозрачных и полупрозрачных материалов.
  • Сверхвысокая скорость измерения от 100 мс до 1 с на точку.
  • Используются дейтеривые или вольфрам-галогеновые лампы с высокой равномерностью интенсивности света и стабильным спектром. 
  • Прецизионный механизм перемещения подложки для картографирования распределения толщин.
Модель: AF-T001
Диапазон длин волн: 250-1050нм
Измеряемая толщина: 1нм – 100мкм
Разрешение: 0.1нм
Точность 1*: 0.2%@1нм
Воспроизводимость 2*: 0.1нм
Стабильность 3*: 0.05нм
Угол падения: 90°
Кол-во измеряемых слоев: 10
Определение уровня отражения: Доступно
Измеряемые материалы: Прозрачные и полупрозрачные
Обнаружение грубых посторонних включений: Доступно
Скорость измерения: 100 мс….1с
Дистанция измерения: 1.5….3мм
Размер пятна: 100/200/400мкм на выбор
Функция картографирования: Доступна (опциональна)
Гарантия: Один год ограниченной гарантии
*1: Используя стандартные пластины SiO2, проводятся 30-кратные статические испытания в лабораторных условиях, измеряя максимальное отклонение значения распределения при 1σ от истинного значения.
*2: Используя стандартные пластины SiO2, проводятся 30-кратные статические испытания в лабораторных условиях, используя максимальный диапазон значений распределения при 1σ.
*3: Используя стандартные пластины SiO2, проводятся 30-кратные статические испытания в лабораторных условиях, используя стандартное отклонение значений распределения при 1σ.