Интерферометр лазерный с функцией картографирования для образцов до 300мм (изм. толщина 10нм – 100мкм) - AF-T010
-
По запросу
- Под заказ
Лазерный интерферометр AF-T010 для измерения тонких плёнок от 10 нм до 100 мкм — это прибор, который использует лазерное излучение для точного измерения толщины тонких слоёв и покрытий.
Принцип работы: лазерный луч отражается от поверхности плёнки и возвращается обратно в прибор. Измеряется разность фаз между исходным и отражённым лучами. Эта разность фаз пропорциональна толщине плёнки.
Основные компоненты лазерного интерферометра:
Источник лазерного излучения: обычно используется лазер с длиной волны 250-1050нм.
Оптическая система: включает в себя зеркала, линзы и другие оптические элементы для направления и фокусировки лазерного луча на поверхность плёнки.
Детектор: регистрирует отражённый сигнал и измеряет разность фаз.
Электронная система обработки данных: преобразует измеренную разность фаз в значение толщины плёнки.
Прецизионный позиционер: предназначен для перемещения подложки для создания карты распределения толщин.
Преимущества лазерного интерферометра включают высокую точность измерений, возможность работать с тонкими плёнками различной природы и широкий диапазон измерений. Однако для работы с прибором требуется квалифицированный персонал и определённые навыки.
Особенности:
- Измерение тонких слоев в диапазоне от 10нм до 100мкм.
- Возможность измерения многослойных покрытий – до 10 слоев.
- Ультра высокое разрешение – 0.1нм, воспроизводимость 0.1нм.
- Возможность измерения прозрачных и полупрозрачных материалов.
- Сверхвысокая скорость измерения от 100 мс до 1 с на точку.
- Используются дейтеривые или вольфрам-галогеновые лампы с высокой равномерностью интенсивности света и стабильным спектром.
- Прецизионный механизм перемещения подложки для картографирования распределения толщин.
Модель: | AF-T010 |
Диапазон длин волн: | 250-1050нм |
Измеряемая толщина: | 10нм – 100мкм |
Разрешение: | 0.1нм |
Точность 1*: | 0.2%@1нм |
Воспроизводимость 2*: | 0.1нм |
Стабильность 3*: | 0.05нм |
Угол падения: | 90° |
Кол-во измеряемых слоев: | 10 |
Определение уровня отражения: | Доступно |
Измеряемые материалы: | Прозрачные и полупрозрачные |
Обнаружение грубых посторонних включений: | Доступно |
Скорость измерения: | 100 мс….1с |
Дистанция измерения: | 1.5….3мм |
Размер пятна: | 100/200/400мкм на выбор |
Функция картографирования: | Доступна (опциональна) |
Гарантия: | Один год ограниченной гарантии |
*1: | Используя стандартные пластины SiO2, проводятся 30-кратные статические испытания в лабораторных условиях, измеряя максимальное отклонение значения распределения при 1σ от истинного значения. |
*2: | Используя стандартные пластины SiO2, проводятся 30-кратные статические испытания в лабораторных условиях, используя максимальный диапазон значений распределения при 1σ. |
*3: | Используя стандартные пластины SiO2, проводятся 30-кратные статические испытания в лабораторных условиях, используя стандартное отклонение значений распределения при 1σ. |