Система плазмохимического газофазного осаждения (PECVD) с тремя температурными зонами для получения графена

Система PECVD (плазмохимическое осаждение из газовой фазы) состоит из генератора плазмы, трех-зонной трубчатой ​​печи, RF источника питания и вакуумной системы. Плазменная CVD система позволяет осуществлять проведение химических реакций при более низкой температуре, за счет использования активности плазмы. PECVD оборудования для производства графеновой пленки с радиочастотой 13.56 МГц на выходе обеспечивает ионизацию газа атомов пленки, образование плазмы с сильной химической активностью, что улучшает условия для реакций для нанесение желаемой пленки на подложку.

PECVD системы получили широкое применение при изготовлении графена, подготовке сульфидов, наноматериалов и т.д. Также на поверхности подложки могут быть осаждены пленки из SiOx, SiNx, аморфного кремния, микрокристаллического кремния, нанокремния и SiC, а также алмазоподобные пленки. Кроме того, система позволяет получать легированные пленки p-типа и n-типа. Полученные пленки обладают хороший однородностью, герметичностью, адгезией и изоляцией.